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第1章常用半导体器件1.1半导体基础知识
1.1.3PN结(4)
1.1半导体基础知识1.1.3PN结
【新问题】
【回顾】交流信号作用下,PN
结导电有什么不一样
PN结的伏安特性吗?
1.1半导体基础知识1.1.3PN结
PN结外加电压变化时,空间电荷区的宽度将发生变化,有电荷的积累和
释放的过程,与电容的充放电相同。
等效电容称为势垒电容C。
b
1.1半导体基础知识1.1.3PN结
l当PN结正向偏置时,从N区跨过耗尽层、扩散到P区
的自由电子,在进入P区时,并不马上被空穴复合掉,
而是在向P区扩散的路径上逐渐被复合。
l在P区,由N区扩散过来的自由电子(称为非平衡少子,
P区原有的自由电子称为平衡少子)的浓度逐渐降低、
直到降至P区自由电子(平衡少子)浓度。
l同理,从P区跨过耗尽层、扩散到N区的空穴,在进入N区后,浓度逐渐降低、直
到降至N区空穴(平衡少子)浓度。
l因此,在PN结两侧,非平衡少子形成了电荷积累,其等效电容称为扩散电容C。
d
1.1半导体基础知识1.1.3PN结
(3)PN结的总结电容
CCC
jbd
C和C与结面积、外加电压有关。
bd
(4)讨论
l结电容的利用。比如:变容二极管,压控振荡器。
l结电容的不利影响。三极管、场效应管中结电容的存在降低了放大
电路的频带宽度。
1.1半导体基础知识1.1.3PN结
本讲小结
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