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模拟电子技术基础
1常用半导体器件结型场效应管的结构和工作原理
源极,用S或s表示N型导电沟道漏极,用D或d表示P型区P型区栅极,用G或g表示栅极,用G或g表示结型场效应管1.结构(JunctiontypeFieldEffectTransisstor-JFET)
2.工作原理vDS=0V时NGvDSVGSSDPPiDPN结反偏,VGS越负,则耗尽区越宽,导电沟道越窄。①VGS对沟道的控制作用(以N沟道为例)
当沟道夹断时,对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP(或VGS(off))。VGS继续减小对于N沟道的JFET,VP0。VDSNGSDVGSPPiDVGS达到一定值时耗尽区碰到一起,DS间的导电沟道被夹断。
NGSDVDSVGSNNVDS=0V时iDPP②VDS对沟道的控制作用当VGS=0时,VDS??iD?G、D间PN结的反向电压增加,使靠近漏极处的耗尽层加宽,沟道变窄,从上至下呈楔形分布。
NGSDVDSVGSPPiD当VDS增加到使VGD=VP时,在紧靠漏极处出现预夹断。此时VDS??夹断区延长?沟道电阻??ID基本不变
GSDVDSVGSPPiDNVGS越小耗尽区越宽,沟道越窄,电阻越大。iD减小。③VGS和VDS同时作用时当VPVGS0时,导电沟道更容易夹断,对于同样的VDS,iD的值比VGS=0时的值要小。在预夹断处VGD=VGS-VDS=VP
小结沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,
所以场效应管也称为单极型三极管。JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后,iD趋于饱和。结型场效应管JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因
此iG?0,输入电阻很高。
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