(6)--1.5 晶体三极管主要结构（美化后）.ppt

晶体三极管主要结构体管简介晶体管结构与符号晶体管电流放大作用小结

小功率管中功率管大功率管晶体管简介图1晶体管的几种常见外形晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电，故称之为双极型晶体管（BJT），又称半导体三极管，简称晶体管。

NPN型ecb符号集电区集电结基区发射结发射区集电极c基极b发射极eNNP图2NPN晶体管结构示意图和符号(a)(b)晶体管的结构及符号

集电区集电结基区发射结发射区集电极c发射极e基极bcbe符号NNPPNPNP型图3PNP晶体管结构示意图和符号(a)(b)

三极管内部结构要求：NNPebcNNNPPP发射区高掺杂。基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。集电结面积大。晶体管的电流放大作用

becRcRbIEIB发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区空穴扩散到发射区—形成发射极电流IE(基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。一、晶体管内部载流子的运动图4晶体管内部载流子的运动

becRcRbIEIB扩散到基区的自由电子与空穴的复合运动形成基极电流电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流Ibn，复合掉的空穴由VBB补充。多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。图4晶体管内部载流子的运动一、晶体管内部载流子的运动

集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流Ic集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流Icn。其能量来自外接电源VCC。另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。becRcRbIEIB一、晶体管内部载流子的运动图4晶体管内部载流子的运动

beceRcRbIEpICBOIEICIBIEnIBnICnIC=ICn+ICBOIE=IC+IB图5晶体管内部载流子的运动与外部电流二、晶体管的电流分配关系

整理可得：ICBO称反向饱和电流ICEO称穿透电流1、共射直流电流放大系数VCCRb+VBBC1TICIBC2Rc+图6简单的共发射极放大电路三、晶体管的共射电流放大系数

直流参数与交流参数?、?的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，直流和交流的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。2、共射交流电流放大系数

3、共基直流电流放大系数或4、共基交流电流放大系数5、??的关系ICIE+C2+C1VEEReVCCRc共基极接法简单的共发射极放大电路

晶体三极管中有两种带有不同极性电荷的载流子参与导电。晶体管有三个极、三个区、两个PN结。晶体管放大条件：（1）发射区的掺杂浓度远大于集电区（2）基区很薄且掺杂浓度低（3）集电结面积远大于发射结。晶体管的基本应用之一是将微弱信号放大。小结