模拟电子技术基础 (25).pdfVIP

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功率BJT的散热安装散热装置

在BJT中,管子上的电压绝大部

分降在集电结上,使管子产生

热量

当结温超过一定温度时(硅管

约为150℃),会使管子损坏功率BJT外形

功率BJT的二次击穿iC

PCM

实际应用中,功率BJT并未超过允许的ICM

二次击穿

PCM值,管身也不烫,但功率BJT却突然临界曲线

失效或者性能显著下降安全

工作区

主要原因:流过BJT表面的电流不均匀,

造成结面局部高温。

OVvCE

(BR)CEO

功率管的工作安全区

VMOS管

V型开槽的纵向MOS管,成为VMOS(VerticalMOS)

电流沿导电沟道由漏极到源极

的流动是纵向的;源

S栅极g沟道

沟道很短,电流ID很大,二氧化硅

金属铝

-++

N外延层提高了耐压性;NN

P

N-型外延层

N+型衬底

漏极d

DMOS管

双扩散MOS管,称为DMOS管(Double-diffusedMOS)

源极

电流也是纵向流动的S

电流I很大金属铝沟道栅极

Dg二氧

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学高为师,身正为范.师者,传道授业解惑也。做一个有理想,有道德,有思想,有文化,有信念的人。 学无止境:活到老,学到老!有缘学习更多关注桃报:奉献教育,点店铺。

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