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功率BJT的散热安装散热装置
在BJT中,管子上的电压绝大部
分降在集电结上,使管子产生
热量
当结温超过一定温度时(硅管
约为150℃),会使管子损坏功率BJT外形
功率BJT的二次击穿iC
PCM
实际应用中,功率BJT并未超过允许的ICM
二次击穿
PCM值,管身也不烫,但功率BJT却突然临界曲线
失效或者性能显著下降安全
工作区
主要原因:流过BJT表面的电流不均匀,
造成结面局部高温。
OVvCE
(BR)CEO
功率管的工作安全区
VMOS管
V型开槽的纵向MOS管,成为VMOS(VerticalMOS)
电流沿导电沟道由漏极到源极
的流动是纵向的;源
极
S栅极g沟道
沟道很短,电流ID很大,二氧化硅
金属铝
-++
N外延层提高了耐压性;NN
P
N-型外延层
N+型衬底
漏极d
DMOS管
双扩散MOS管,称为DMOS管(Double-diffusedMOS)
源极
电流也是纵向流动的S
电流I很大金属铝沟道栅极
Dg二氧
-
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