(36)--1.3.2 晶体管电流放大作用.pdf

模拟电子技术基础常用半导体器件

1半导体基础

目2半导体二极管

u晶体管的结构和符号

录u晶体管的电流放大作用

u晶体管的电流放大作用

3晶体三极管

u晶体管的伏安特性及参数

u晶体管的等效电路

4场效应管

晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用

一、放大的外部条件：发射结正偏、集电结反偏

从电位的角度看：NPNPNP

C

发射结正偏:VVVV

BEBE

集电结反偏:VVVV

CBCBNRC

①无论NPN、PNP型，B极电位都居中；BP

②UBE0.7V(Si)或0.3V(Ge)；N

③NPN管，C极电位最高；RBEEC

PNP管，C极电位最低。EB

晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用

二、三极管内部载流子的运动过程

(1)“多子”在发射区与基区之间的扩散与复合——形成基极电流和不平衡载流子。

(2)“少子”在基区与集电区之间的漂移与复合——形成集电极电流。

IC

CC

R

c

IBB

B

RbRbVCC

VBBVBB

EE

晶体管结构及放大作用常见外形结构和符号电流放大作用

三、三极管的电流分配关系III

BC