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基于0.35微米CMOS工艺的
带隙基准源设计Basedon0.35umBCDProcessBandGapreferencedesign1精选ppt课件
第一章概述1.BCD工艺简介BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）功率集成电路器件，通过MOS管的最高电压可达40V，最低为5V。2.带隙基准源简介及其应用模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。图1.2基本的带隙基准源2精选ppt课件
第二章BandGap电路设计1.核心电路（含启动电路）图2.1核心电路（含启动电路）123启动电路3精选ppt课件
2.运放电路图2.2运放电路三级运放通过运放，使整个核心电路的偏置电压独立于电源电压，从而提高电源抑制比。4精选ppt课件
3.启动电路图2.3启动电路保证运放正常工作，并提供偏置5精选ppt课件
图2.4整体电路核心电路启动电路三级运放此电路共计49个MOS管，5个三极管，8个电阻和1个电容6精选ppt课件
第三章仿真结果1.输出电压SSTTFF输出电压1.25V1.23V1.22V图3.1输出电压仿真图7精选ppt课件
SSTTFFPSRR73dB72dB93dB2.电源抑制比（PSRR）图3.2电源抑制比仿真图8精选ppt课件
3.温度系数（TC）SSTTFF温度系数5.79ppm/℃1.13ppm/℃0.74ppm/℃图3.3温度系数仿真图9精选ppt课件
4.功耗SSTTFF功耗0.99mW1.35mW2.05mW图3.4功耗仿真图10精选ppt课件
5.蒙特卡罗分析温度系数输出电压电源抑制比功耗11精选ppt课件
SSTTFF输出电压（V）1.356-1.0411.342-1.0231.332-1.013电源抑制比（dB）98.54-51.226106.58-51.5595.71-48.64温度系数（ppm/℃）105.78-1.33789.205-0.56678.72-2.183功耗（uA）218-182321-274441-383蒙特卡罗分析结果12精选ppt课件
参考文献：1.高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源_吴志明2.模拟CMOS集成电路设计_毕查德拉扎维13精选ppt课件
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