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本发明公开了一种雪崩光电器件及其应用,包括从下至上依次层叠的p‑InAlAs电荷调节层、本征InGaAs吸收层和n‑InP电荷调节层,其中,n‑InP电荷调节层的掺杂浓度范围是2E17~5E17,厚度范围是150~300nm,体掺杂密度的范围为300~1250E17·nm;p‑InAlAs电荷调节层的掺杂浓度范围是6E17~1E18,厚度范围是100~200nm,体掺杂密度的范围为600~2000E17·nm;n‑InP电荷调节层与p‑InAlAs电荷调节层的体掺杂密度比例范围为0.01~3。本
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117558802A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311497868.2
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人泉州市三安光通讯科技有限公司
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