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本发明涉及一种阳极短路横向绝缘栅双极晶体管模型,包括:NMOS管M1,所述NMOS管M1的源极连接所述SA‑LIGBT的发射极,所述NMOS管M1的栅极连接所述SA‑LIGBT的栅极;NPN三极管QN1,所述NPN三极管QN1的发射极连接所述NMOS管M1的漏极,所述NPN三极管QN1的集电极连接所述SA‑LIGBT的集电极;PNP三极管QP1,所述PNP三极管QP1的发射极连接所述SA‑LIGBT的集电极和所述NPN三极管QN1的基极,所述PNP三极管QP1的集电极连接所述SA‑LIGBT的发
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117556761A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202210927589.4
(22)申请日2022.08.03
(71)申请人无锡华润上华科技有限公司
地址
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