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本发明涉及碳化硅晶圆技术领域,且公开了一种碳化硅晶圆研磨抛光工艺,包含以下步骤:S1首先,将碳化硅晶圆放入专用的清洗设备中,使用去离子水和酒精进行清洗,去除表面的灰尘和杂质。该碳化硅晶圆研磨抛光工艺,通过超声波清洗机利用超声波的物理特性,使清洗液中的气体和微小颗粒产生震动,从而将它们从清洗液中分离出来,这个过程是通过高频振动产生超声波,将清洗液中的微小气泡迅速破裂,产生强烈的冲击波来实现的,这种冲击波能够将碳化硅晶圆表面的污垢、油脂、尘埃等杂质剥离下来,从而达到清洗的目的,超声波清洗的原理是利用
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117549184A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311511693.6B08B3/12(2006.01)
(22)申请日2023.11.1
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