EBSD入门简介(最新整理版).pptxVIP

第六章EBSD技术入门简介2010.11.101.EBSD的原理及应用2.EBSD数据处理演示2023最新整理收集do

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2/40EBSD术语荧光屏样品电子束背散射电子A花样中心(PC)L(探测距离-DD)工作距离(WD–Z)70degreesL=N/tan20?Nisthedistanceinpixelsonscreenbetween114and001zoneaxisina[001]siliconpattern

3/40什么是背散射电子背散射电子是入射电子与样品相互作用作用后而又逃离样品表面的那部分电子．通常是弹性散射的结果．背散射通常用背散射效率描述：?＝nBSE/nB=iBSE/iB(1)nBSE:背散射电子数，nB：入射电子数,iBSE:背散射电流,iB:入射电流背散射电子的效率

4/401.背散射电子（BSE）入射电子在样品中经过弹性和非弹性散射后，再逸出试样表面的部分高能电子。能量：50eV~E0；溢出深度：几百nm2.二次电子（SE）入射电子使样品原子较外层电子（价带或导带电子）电离产生的电子子。能量：50eV；溢出深度：5nm~10nm3．吸收电子（AE）进入样品经多次非弹性散射，被样品吸收的部分入射电子。4．透射电子（TE）穿透样品的部分入射电子。I0＝Ib＋Is＋Ia+It或：?+δ+α+τ=1?η＝Ib/I0背散射系数;δ＝Is/I0SE产额；α＝Ia/I0吸收系数；τ＝It/I0透射系数。

5/40材料微观分析的三要素：形貌、成分、晶体结构成分：化学分析、扫描电镜中的能谱或电子探针、透射电镜中的能谱、能量损失谱晶体结构：X－光衍射或中子衍射扫描电镜中的EBSD透射电镜中的电子衍射是近十年来材料微观分析技术最重要的发展

6/40什么是EBSD技术？ElectronBack-ScatteredPatternElectronBack-ScatteredDiffraction电子背反射衍射技术简称EBSP或EBSD装配在SEM上使用，一种显微表征技术通过自动标定背散射衍射花样，测定大块样品表面（通常矩形区域内）的晶体微区取向

7/40FEINano400场发射扫描电镜及HKLEBSP系统5.0

8/40EBSD探头

9/40

10/40EBSDsetup

11/40EBSPs的产生条件固体材料，且具有一定的微观结构特征——晶体电子束下无损坏变质金属、矿物、陶瓷导体、半导体、绝缘体试样表面平整，无制样引入的应变层——10’snm足够强度的束流——0.5-10nA高灵敏度CCD相机样品倾斜至一定角度(~70度)样品极靴CCD相机荧光屏

12/40EBSPs的产生原理电子束轰击至样品表面电子撞击晶体中原子产生散射，这些散射电子由于撞击的晶面类型(指数、原子密度)不同在某些特定角度产生衍射效应，在空间产生衍射圆锥。几乎所有晶面都会形成各自的衍射圆锥，并向空间无限发散用荧光屏平面去截取这样一个个无限发散的衍射圆锥，就得到了一系列的菊池带。而截取菊池带的数量和宽度，与荧光屏大小和荧光屏距样品(衍射源)的远近有关荧光屏获取的电子信号被后面的高灵敏度CCD相机采集转换并显示出来

13/40硅样品晶面电子衍射菊池线示意图

14/40典型的EBSP花样硅钢某一点的EBSP花样硅钢某点的标定结果

15/40不同晶体取向对应不同的菊池花样通过分析EBSP花样我们可以反过来推出电子束照射点的晶体学取向(100)(100)(110)(111)

16/40EBSD如何工作?

17/40图像处理及菊池带识别采集花样与数据库进行相及取向的对比校对并给出标定结果输出相及取向结果一个完整的标定过程取点

18/40多点自动标定过程CollectedEBSP(+/-EDSdata)IndexedEBSPPhaseandorientationDetectbandsMovebeamorstageSavedatatofileMaximumcycletimecurrently100cycles/sec(sample/conditionsdependent)

19/40两种扫描方式电子束扫描电子束移动，样品台不动操作简单，速度快