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本发明提供了一种钙钛矿薄膜制备方法及其在太阳能电池器件中的应用，属于钙钛矿光伏技术领域，在一步法制备钙钛矿吸光层的过程中，将二维钙钛矿单晶(n＝1)掺杂到钙钛矿前驱液，旋涂在电子传输层/空穴传输层表面，退火处理后得到晶种诱导结晶的三维钙钛矿薄膜；将该钙钛矿薄膜制备方法用于太阳能电池器件制备，利用二维钙钛矿单晶(n＝1)作为钙钛矿晶种诱导钙钛矿吸光层结晶同时钝化钙钛矿上界面的方法，克服了现有技术加入有机配体作晶种可导致晶种材料与MACl或FAI等进一步反应形成杂乱的多相2D钙钛矿(n≥1)的缺陷，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117560979A
(43)申请公布日2024.02.13
(21)申请号202311518064.6H10K30/88(2023.01)
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