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ICS29.045
CCSH80
中华人民共和国国家标准
GB/T43612-2023
碳化硅晶体材料缺陷图谱
Collectionofmetallographsondefectsinsiliconcarbidecrystalmaterials
2023-12-28发布2024-07-01实施
国家市场监督管理总局
发布
国家标准化管理委员会
...
-
GB/T43612-2023
目次
前?于……
Lt也网-
2规范钝引用文件…
3术语利liE义…
4缩回扣话…………………….2
5碳化磁晶体材料缺陷……………………2
5.1品饺缺陷……………2
5.2忖成缺陷………….…………….….4
5.3外延缺陷………….……8
5ιT;汇缺陷…………………················L2
6缺陷闲谱……………13
6.1品键缺陷r~Ii告……….13
6.2衬底缺陷|电|地…….14
6.3外延缺陷图讲…....…...……...22
6.4飞汇缺陷阵Ii普….···············………………..~I
参考文献……………·…’14
3食寻|…………………·…………45
Cll/I43612-2023
前言
本文件饺!!(!GB门、1.1-2020《标准化|”作导则斧,1部分.你ill化文件的纺构和IJ呈卒规则》的规定
起1;i.•
t占t主怠本文件的某些内容nf能涉及专利.本文件的发布结构不再走也以))IJ专利的负任.
本文件向全囚半导体设备和中;f:¥1标准化技术委员会<SAC/TC203)与价因半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会<SAC/TC203/SC2)共同键tl1Jj:归口.
本文件起iii111.1主:广东天城半导体股份有限公司、有包金!两技术经济研究院有限资任公司、:It.ill第
代半导体产业技术创新战略If)<\挝、山东天岳先.ill科技l股份有限公司、河北同光半导体1股份有限公司、
二
北取大学东莞光电liJf究院、山西烁科品体有限公司、M北ff兴电子科技股份有限公百l、北京天科合达半
导体股份有限公司、巾同电子科技集团公司第l’二研究所、『I'罔科学院半导体研究所、湖州东尼半导体
科技有限公司、小国电子科技集附公司第四十六研究所、『11电化合物半导体有限公司、南京国盛电子,(:j
限公司、哈尔滨在|。友、|主导体产业装备与技术研究院有限公司、新荧光(苏州}平导体科技有限公司、汀:;)j:
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本文「|·主要起草人:丁剧1:杰、,XI]俄、¥Ji~瑞、然东江、李卫在
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