GB∕T 43612-2023 碳化硅晶体材料缺陷图谱.pdf

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ICS29.045

CCSH80

中华人民共和国国家标准

GB/T43612-2023

碳化硅晶体材料缺陷图谱

Collectionofmetallographsondefectsinsiliconcarbidecrystalmaterials

2023-12-28发布2024-07-01实施

国家市场监督管理总局

发布

国家标准化管理委员会

...

-

GB/T43612-2023

目次

前?于……

Lt也网-

2规范钝引用文件…

3术语利liE义…

4缩回扣话…………………….2

5碳化磁晶体材料缺陷……………………2

5.1品饺缺陷……………2

5.2忖成缺陷………….…………….….4

5.3外延缺陷………….……8

5ιT;汇缺陷…………………················L2

6缺陷闲谱……………13

6.1品键缺陷r~Ii告……….13

6.2衬底缺陷|电|地…….14

6.3外延缺陷图讲…....…...……...22

6.4飞汇缺陷阵Ii普….···············………………..~I

参考文献……………·…’14

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Cll/I43612-2023

前言

本文件饺!!(!GB门、1.1-2020《标准化|”作导则斧,1部分.你ill化文件的纺构和IJ呈卒规则》的规定

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t占t主怠本文件的某些内容nf能涉及专利.本文件的发布结构不再走也以))IJ专利的负任.

本文件向全囚半导体设备和中;f:¥1标准化技术委员会<SAC/TC203)与价因半导体设备和材料标准

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本文件起iii111.1主:广东天城半导体股份有限公司、有包金!两技术经济研究院有限资任公司、:It.ill第

代半导体产业技术创新战略If)<\挝、山东天岳先.ill科技l股份有限公司、河北同光半导体1股份有限公司、

北取大学东莞光电liJf究院、山西烁科品体有限公司、M北ff兴电子科技股份有限公百l、北京天科合达半

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限公司、哈尔滨在|。友、|主导体产业装备与技术研究院有限公司、新荧光(苏州}平导体科技有限公司、汀:;)j:

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本文「|·主要起草人:丁剧1:杰、,XI]俄、¥Ji~瑞、然东江、李卫在

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