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本发明公开一种磁阻式随机存取存储器组件及其形成方法,其中该磁阻式随机存取存储器(MRAM)组件包括:底电极、磁性隧穿结(MTJ)结构、第一自旋轨道扭矩(SOT)层、顶盖层、第二SOT层、刻蚀停止层以及上金属导线层。磁性隧穿结结构配置在底电极上。第一SOT层配置在MTJ结构上。顶盖层配置在第一SOT层上。第二SOT层配置在顶盖层上。刻蚀停止层配置在第二SOT层上。上金属导线层穿过刻蚀停止层且着陆在第二SOT层上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117500280A
(43)申请公布日2024.02.02
(21)申请号202210971300.9
(22)申请日2022.08.12
(30)优先权数据
1111270432022.
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