原创力文档- 1、本文档共27页，其中可免费阅读26页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种存储器及其制造方法，涉及半导体技术领域，存储器包括行列分布的多个晶体管，还包括：第一半导体衬底；位线层，所述位线层设置在所述第一半导体衬底的一侧，所述位线层包括多条位线，各所述位线沿列方向延伸且在行方向间隔排列；多个半导体柱，多个所述半导体柱设置在所述位线层远离所述第一半导体衬底的一侧，并且多个所述半导体柱沿行方向和列方向间隔排列；所述多个半导体柱均包含相向设置的第一端面和第二端面，所述第一端面靠近所述第一半导体衬底并与所述位线连接。位线置于半导体柱顶端避免高温工艺过程对位线造成影响。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117476739A
(43)申请公布日2024.01.30
(21)申请号202211193788.3H10B61/00(2023.01)
(22)申请日2022.09.
文档评论（0）