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本发明提供一种半导体激光器的制备方法,包括:提供半导体衬底层;在半导体衬底层上形成有源层,有源层包括量子阱层;在有源层背向半导体衬底层的一侧形成第一子上波导层;形成第一子上波导层之后,对量子阱层靠近前腔面的区域进行诱导量子阱混杂处理,诱导量子阱混杂处理包括退火处理;进行诱导量子阱混杂处理之后,在第一子上波导层背向有源层的一侧表面形成第二子上波导层。本发明的制备方法能够在避免光学镜面灾变损伤的同时提高外延材料的质量,提高半导体激光器的可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115632306A
(43)申请公布日2023.01.20
(21)申请号202211215079.0
(22)申请日2022.09.30
(71)申请人无锡市华辰芯光半导体科技有限公
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