集成电路制造技术——原理与工艺第三版田丽答案.docx

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集成电路制造技术——原理与工艺(第3版)

参考答案

第一单元

以直拉法拉制掺硼硅锭,切割后获硅片,在晶锭顶端切下的硅片,硼浓度为3×1015atoms/cm3。当熔料的90%已拉出,剩下10%开始生长时,所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片,硼浓度是多少?

已知:C0B=3×1015atoms/cm3;kB=0.35;由得:

硅熔料中硼的初始浓度为:

C0l=C0B/kB=3×1015/0.35≈8.57×1015atoms/cm3

由得:

剩下10%熔料时,此处晶锭的硼浓度为:

C90%B=kBC0l×0.1kB-1=0.35×8.57×1015×0.10.35-1=

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