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一种可单片集成有源光器件的电光调制芯片及制备方法.pdfVIP

一种可单片集成有源光器件的电光调制芯片及制备方法.pdf

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    本发明公开了一种可单片集成有源光器件的电光调制芯片及制备方法，该电光调制芯片从上至下包括化合物半导体有源层、锗薄膜层和电光材料波导层；电光材料波导层通过光刻和刻蚀形成对应的波导结构；锗薄膜层通过光刻和刻蚀形成锗吸收层和锗衬底生长层；锗薄膜层通过离子剪刀技术制备，一方面可以实现高速率、高响应度的O/C波段光探测，另一方面为化合物半导体提供了晶格匹配的生长衬底，能够同时集成光学增益半导体器件。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117452677A

    (43)申请公布日2024.01.26

    (21)申请号202311361324.3

    (22)申请日2023.10.19

    (71)申请人杭州特洛伊光电技

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