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本发明公开了一种铜离子电沉积形核生长行为的准原位SEM观察方法，属于铜离子电沉积形核生长形貌观察表征领域。该方法先进行钛阴极试样的制备及表面处理，然后在钛阴极试样的待沉积面上加工特征标记，之后准原位观察不同累积沉积时间下铜沉积层的表面形貌。由于现有的SEM设备不能进行电沉积实验，因而限制了采用原位SEM技术研究铜离子电沉积铜箔过程的形核生长行为的研究。该方法能够追踪不同沉积时间下钛阴极表面相同位置处的铜沉积层微观形貌，并分析钛阴极晶粒度对铜离子电沉积形核生长行为的影响，为电解铜箔生产用钛阴极的晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117434096A
(43)申请公布日2024.01.23
(21)申请号202311365731.1
(22)申请日2023.10.20
(71)申请人河南科技大学
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