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2024-01-24 发布于四川
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本申请提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，方法，包括形成缓冲层，在缓冲层的一侧形成半导体层，在半导体层背离缓冲层的一侧形成栅极绝缘层，其中，栅极绝缘层在缓冲层上的正投影落入半导体层在缓冲层上的正投影，对半导体层进行等离子处理，使半导体层内部分半导体转化为导体，且等离子处理后的半导体层包括半导体区及导体化区，在栅极绝缘层背离缓冲层的一侧形成栅极层，使栅极层在半导体层的正投影落入半导体区内，其中，栅极绝缘层与栅极层通过不同的掩膜版进行制备。制备栅极绝缘层的掩膜版不受制备栅极层的掩膜版的限制，可

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117440711A

(43)申请公布日2024.01.23

(21)申请号202311365855.XH01L27/12(2006.01)

(22)申请日2023.10.

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