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本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法,半导体结构包括:第一晶圆,所述第一晶圆的表面具有依次堆叠设置的第一极板、第一介电层和第一伪焊盘,且三者构成电容器;所述第一晶圆表面还具有第一功能焊盘,所述第一功能焊盘与所述第一伪焊盘同层设置;第二晶圆,与所述第一晶圆相键合;所述第二晶圆表面具有同层设置的第二伪焊盘和第二功能焊盘;所述第一伪焊盘与所述第二伪焊盘相键合,所述第一功能焊盘与所述第二功能焊盘相键合。本公开实施例至少可以提高晶圆的空间利用率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117425329A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202210804053.3
(22)申请日2022.07.07
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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