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本申请涉及一种选择性掺杂结构,所述选择性掺杂结构包括:硅片,所述硅片的一面的区域划分为接触区和非接触区;设置在所述硅片的一面的隧穿氧化层;设置在所述隧穿氧化层表面的磷掺杂多晶硅层,所述接触区的多晶硅的磷掺杂浓度高于所述非接触区;设置在所述接触区内的掺杂多晶硅层表面的磷掺杂纳米硅粉层;设置在所述接触区内的掺杂多晶硅层表面的金属电极;钝化层,所述钝化层设置在所述非接触区内的掺杂多晶硅层表面,以及所述磷掺杂纳米硅粉层表面未被金属电极占据的区域。本申请通过在所述接触区内的掺杂多晶硅层表面设置磷掺杂纳米硅
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117423765A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202311574280.2
(22)申请日2023.11.23
(71)申请人中环新能(安徽)
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