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2024-01-20 发布于北京
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芯片和制备方法.pdf

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本申请实施例提供了一种芯片，该芯片包括衬底，衬底中开设有贯穿衬底上下表面的第一通孔，第一通孔的内壁以及底部依次贴附有至少两层掺杂材料，至少两层掺杂材料中包括P型掺杂材料和N型掺杂材料，第一通孔中还填充有第一导电材料，第一导电材料与至少两层掺杂材料中的第一掺杂材料相接触；设置于衬底上表面的第一导电线路以及功能电路，第一导电线路与第一导电材料以及功能电路相连接；设置于衬底下表面的第二导电线路，第二导电线路与至少两层掺杂材料中的第二掺杂材料相接触，本申请实施例提供的芯片，可以提高单位面积的芯片内，静电

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117423692A

(43)申请公布日2024.01.19

(21)申请号202210807986.8

(22)申请日2022.07.11

(71)申请人华为技术有限公司

地址5181

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