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本发明涉及晶硅异质结太阳电池技术领域,尤其涉及一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构。本发明提供了一种用于晶硅异质结太阳电池迎光面的局域接触结构,包括依次层叠设置的晶硅衬底和界面钝化层;在所述界面钝化层的表面选区设置的取出所述晶硅衬底中的多子的载流子选择性接触表面场层,未设置载流子选择性接触表面场层的区域设置的电学隔离层;在所述载流子选择性接触表面场层和电学隔离层表面设置的透明导电电极层;在所述透明导电电极层的表面设置的栅线状金属电极。所述载流子选择性接触表面场层在电池迎光面上是选区存在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115000188A
(43)申请公布日2022.09.02
(21)申请号202210577612.1
(22)申请日2022.05.25
(71)申请人中国科学院电工研究所
地址100
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