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半导体装置包括:具有主面的芯片;形成于上述主面的表层部的第一导电型的通道区域;以及与上述通道区域相邻的方式形成于上述主面的表层部的第二导电型的漂移区域;在上述主面之上包覆上述通道区域以及上述漂移区域的栅极绝缘膜;以及具有隔着上述栅极绝缘膜而与上述通道区域对置的第二导电型的第一部分、以及隔着上述栅极绝缘膜而与上述漂移区域对置且与上述第一部分形成pn接合部的第一导电型的第二部分的多晶硅栅极。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117425966A
(43)申请公布日2024.01.19
(21)申请号202280040470.3(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限
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