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APG120N12PIT
120VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAPG120N12PITusesadvancedSGTIItechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasa公
限
BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures有司
技公
科
V=120VI120A
DSD限
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RDS(ON)6.8mΩ@VGS=10V（Type：6.0mΩ）
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Application科公
市丰限
Mobilephonefastcharging
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深Brushlessmotor恒技司
Homeappliancecontrolboard科公
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PackageMarkingandOrderingInformation技司
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ProductID市Pack科Marking公Qty(PCS)
APG120N12PTO-220-3LAPG120N12PXXXYYYY1000
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APG120N12T深TO-263-3L锐APG120N12TXXXYYYY800司
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C市科公
SymbolParameterValueUnits
圳丰
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