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APG40N10NF
100VN-SGTEnhancementModeMOSFET
GeneralDescription
APG40N10NFuseadvancedSGTMOSFETtechnologyto
providelowRDS(ON),lowgatecharge,fastswitching
andexcellentavalanchecharacteristics.
司
公
Thisdeviceisspeciallydesignedtogetbetterruggedness
andsuitabletousein限
有
Features技司
LowRDS(on)&FOM公
科限
丰
Extremelylowswitchingloss有
锐
ExcellentstabilityanduniformityorInvertors司
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Applications科
市丰限
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Synchronous-rectificationapplication恒技司
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ProductIDPackMarkingQty(PCS)
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APG40N10NFPDFN5*6-8LAPG40N10NFXXXYYYY5000
深恒技司
AbsoluteMaximumRatingsatT=25℃unlessotherwisenoted公
j市科限
ParameterSymbolValueUnit
圳丰
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