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AP4406B
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP4406Busesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
公
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
限
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures有司
技公
科
V=30VI10A
DSD丰限
RDS(ON)25mΩ@VGS=10V有
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Application科公
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深Loadswitch恒技司
Uninterruptiblepowersupply科公
市丰限
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PackageMarkingandOrderingInformation技
恒
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
市科公
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AP4406B圳SOP-8丰AP4406BXXXYYYY3000
深锐有
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C恒技司
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市科
VDSDrain-SourceVoltage30V限
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