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HEMT;HEMT简介
HEMT的发明
两种类型的HEMTHEMT的应用方向;一.HEMT简介;一.HEMT简介;二.两种体系的HEMT;制作工序：;ppt课件;图2GaAsHEMT中2-DEG;在低温下HEMT的特性将发生退化，主要是由于n-AlGaAs层存在一种所谓DX中心的陷阱，它能俘获和放出电子，使得2-DEG浓度随温度而改变，导致阈值电压不稳定。实验表明：对掺硅的AlxGa1－xAs，当x0.2基本不产生DX中心，反之则会出现高浓度的DX中心。对于HEMT中的n－AlGaAs层，为了得到较高的能带突变通常取x=0.3，必然会有DX中心的影响。
为了解决这个问题，1985年Maselink采用非掺杂的InGaAs代替非掺杂的GaAs作为2－DEG的沟道材料制成了赝高电子迁移率晶体管PHEMT。;InGaAs层厚度约为20nm，能吸收由于GaAs和InGaAs之间的晶格失配（约为1％）而产生的应力，在此应力作用下，InGaAs的晶格将被压缩，使其晶格常数大致与GaAs与AlGaAs的相匹配，成为赝晶层。因为InGaAs薄层是一层赝晶层且在HEMT中起着i–GaAs层的作用，所以成为“赝”层，这种HEMT也就相应地成为赝HEMT。;1.GaAs体系HEMT;2.GaN体系HEMT;2.GaN体系HEMT;2.GaN体系HEMT;三.HEMT的应用;三.HEMT的应用;三.HEMT的应用;三.HEMT的应用;
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