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本申请提供一种CIS光电二极管及其制造方法,其中制造方法包括:提供衬底、第一外延层和硬掩模叠层;以图案化的硬掩模叠层为掩模,刻蚀第一外延层得到深沟槽和隔离柱;对第一外延层进行等离子体掺杂离子注入;去除图案化的硬掩模叠层;形成牺牲氧化层;去除牺牲氧化层;对第一外延层进行垂直离子注入;形成本征外延层;通过掺杂外延工艺形成第二外延层。本申请通过先对第一外延层进行等离子体掺杂离子注入,后再进行垂直离子注入以实现隔离加强,从而在第一外延层中形成隔离结构,可以在保证深沟槽形貌不被损坏的同时,在高深宽比的深沟
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410375A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311340807.5
(22)申请日2023.10.17
(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司
地址
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