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本申请提供一种MOS器件,包括:衬底、多个MOS单元、多个第一重掺杂区、浅沟槽隔离结构、衬底引出端和第一金属硅化物阻挡层,各MOS单元均包括:两个轻掺杂漏区、一个多晶硅层和两个第二重掺杂区,其中,第二重掺杂区分别用作源端和漏端。本申请通过在MOS单元的漏端的有源区中引入第一重掺杂区,以将漏端分割成第一子漏端和第二子漏端,并且第一重掺杂区下方无轻掺杂漏区,通过适当调整第一重掺杂区与第一子漏端、第二子漏端间的间距可以改变击穿电压,此时ESD电流的路径发生改变,轻掺杂漏区的影响可以忽略,该结构不仅可以
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410312A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311307299.0
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人华虹半导体(无锡)有限公司
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