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本发明提供了一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器,属于半导体光电子器件领域,包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型欧姆接触层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极,缓冲层设置在衬底上,N型欧姆接触层设置在缓冲层上,吸收层和N型欧姆接触电极均设置在N型欧姆接触层上,N型欧姆接触电极为环形,且吸收层位于N型欧姆接触电极的环内,吸收层为补偿掺杂的电势分布满足拉普拉斯方程的半导体介质层,P型欧姆接触层设置在吸收层上,P型欧姆接触电极设置在P型欧姆接触层上,探测器的工作模式为背照射,通过在吸收层进行补
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410369A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311228298.7
(22)申请日2023.09.21
(71)申请人安徽大学
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