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本发明提供一种能够改善电流感测部的有源区的击穿耐量的半导体装置。半导体装置具备主半导体区和电流检测区。主半导体区和电流检测区具有第一导电型的半导体基板、第一导电型的第一半导体层、第一导电型的第一半导体区域(7)、第二导电型的第二半导体区域(8)、沟槽(16)、第二导电型的第一高浓度区域(3)和第二导电型的第二高浓度区。在电流检测区的导通状态时供电流流通的有源区具有作为晶体管进行动作的第一单元(43)、以及设置在第一单元的四个角且不作为晶体管进行动作而仅作为二极管进行动作的第二单元(44)。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410287A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202310587616.2
(22)申请日2023.05.23
(30)优先权数据
2022-112157202
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