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本发明提供一种即使在通过DBG等对晶圆进行薄化加工的情况下，也可抑制剥离时芯片产生裂纹，并充分抑制加工晶圆时所产生的静电的半导体加工用保护片。该半导体加工用保护片具有：基材、抗静电层、能量射线固化性的粘着剂层及缓冲层，将能量射线固化后的粘着剂层以剥离速度为600mm/分且粘着剂层与硅晶圆所呈的角度为90°的方式从硅晶圆上剥离时的粘着力为0.035N/25mm以上且小于0.15N/25mm。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117413350A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202280039290.3(74)专利代理机构北京路浩知识产权代理有限
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