一种氧化孔径波导的边发射单模激光器及其制作方法.pdfVIP

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2024-01-17 发布于四川
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一种氧化孔径波导的边发射单模激光器及其制作方法.pdf

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本发明涉及半导体技术领域，公开了一种氧化孔径波导的边发射单模激光器及其制作方法，制备了氧化孔径作为单模激光器的光学限制波导结构，部分绝缘的氧化孔径限制了电流注入窗口，使得器件电流注入效率高、漏电流小，同时波导侧壁具有更低的散射损耗，对高阶模抑制效果更明显，利于实现极低阈值电流密度的高性能单模激光器；还引入了表面光栅的结构，实现了强光栅耦合系数的单模激光器设计，并且制备工艺简单可靠，重复性好，避免了复杂的二次外延工艺过程，减小腔室污染的风险，有利于高质量光栅的重复性制备，实现多波长阵列。

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117410827A

(43)申请公布日2024.01.16

(21)申请号202311445264.3

(22)申请日2023.11.01

(71)申请人中山大学

地址510275

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