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一种衬底处理装置,包括:处理室,包括等离子体生成区、气体混合区和衬底处理区;第一气体供应管线,向等离子体生成区供应第一处理气体;第二气体供应管线,向气体混合区供应第二处理气体;离子阻挡器,设置在等离子体生成区和气体混合区之间;以及喷头,设置在气体混合区和衬底处理区之间,其中,离子阻挡器具有第一阻挡器流动路径单元,该第一阻挡器流动路径单元连接到第二气体供应管线并且对等离子体生成区开放,使得第二处理气体被供应给等离子体生成区。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410164A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202310438655.6
(22)申请日2023.04.21
(30)优先权数据
10-2022-0087395
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