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本发明提供一种Bosch刻蚀工艺后处理工艺,晶圆的正面经Bosch刻蚀工艺刻有孔;包括以下步骤:步骤S1,微刻蚀,将经过Bosch刻蚀工艺处理后的晶圆放入刻蚀设备中进行电感耦合等离子体刻蚀,以消除侧壁尖部,同时去除所述晶圆表面的污染物及杂气;步骤S2,快速升温,将经步骤S1中刻蚀后的晶圆在真空环境下用加热源加热、并使得晶圆快速升温以趋向溅射镀膜工艺温度;步骤S3,溅射预热,将步骤S2中加热后的晶圆放入磁控溅射腔体内,对所述晶圆加热、并使得所述晶圆缓慢升温至工艺温度;步骤S4,溅射镀膜,对经步骤S
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117410177A
(43)申请公布日2024.01.16
(21)申请号202311352352.9
(22)申请日2023.10.19
(71)申请人无锡尚积半导体科技有限公司
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