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AP60H06NF2
65VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP60H06NF2usesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
司
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
公
orinotherSwitchingapplication.
限
GeneralFeatures有司
技
V=65VI60A
DSD科公
丰限
RDS(ON)9.0mΩ@VGS=10V(Type：7.5mΩ)
锐有司
Application技
恒科公
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Batteryprotection丰限
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深Loadswitch锐技司
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深恒技司
PackageMarkingandOrderingInformation科公
ProductID市Pack丰Marking限Qty(PCS)
圳
AP60H06NF2PDFN5*6-8LAP60H06NF2XXXYYYY5000
深锐有司
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)技
C恒科公
市
SymbolParameterValueUnit限
丰
VDSDrainsourcevoltage60V
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