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AP57N10PIT

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

GeneralDescription

TheAP57N10P/Tusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

司

公

Application限

BatteryprotectionLoadswitch

有司

技

Uninterruptiblepowersupply公

科

GeneralFeatures限

丰

V=100VI=57A

DSD有

锐技司

恒

RDS(ON)20mΩ@VGS=10V科公

市丰限

圳锐有

深恒技司

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PackageMarkingandOrderingInformation限

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ProductIDPack锐Marking有Qty(PCS)

深司

AP57N10PTO-220-3LAP57N10PXXXYYYY1000

恒技公

科

AP57N10TTO-263-3LAP57N10TXXXYYYY1000

市丰限

圳

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深j锐有司

恒技

Parameter市Symbol科ValueUnit公

DrainsourcevoltageVDS100V

圳丰限

GatesourcevoltageVGS

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