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AP110N03NF
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP110N03NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
公
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
限
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures有司
技公
科
V=30VI110A
DSD丰限
Type:1.8mΩ)
RDS(ON)2.2mΩ@VGS=10V(有
锐技司
恒公
Application科
市丰限
圳
深Batteryprotection锐有司
Loadswitch恒技公
市科
Uninterruptiblepowersupply丰限
圳锐有
深恒技司
市科公
PackageMarkingandOrderingInformation丰限
圳
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
深锐有司
AP110N03NFPDFN5*6-8LAP110N03NFXXXXYYYY5000
恒技公
市科
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
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