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AP110N06CFIPIT

55VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP110N06CF/P/TissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

司

whichreducetheconductionloss,improveswitching

公

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

限

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

有

miniaturizationandhigherefficiency.司

GeneralFeatures技公

科限

丰

V=55VI110A

DSD有

锐7.0mΩ）司

RDS(ON)8.0mΩ@VGS=10V（Type：技

恒科公

市

Application丰限

圳锐有

深UninterruptiblePowerSupply(UPS)技司

恒公

PowerFactorCorrection(PFC)科

市丰限

圳锐有

深技司

PackageMarkingandOrderingInformation

恒公

ProductID市Pack科Marking限Qty(PCS)

AP110N06F圳TO-220F-3L丰AP7N100FXXXYYYY1000

锐有

AP110N06P深TO-220-3LAP7N100PXXXYYYY1000司

恒技

AP110N06TTO-263-3LAP7N100TXXXYYYY800公

市科

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