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AP100P06PIT
-60VP-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP100P06P/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas6V.This
公
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
限
orinotherSwitchingapplication.
有
GeneralFeatures技司
V=-60VI-100A公
DSD科限
丰
RDS(ON)-8.5mΩ@VGS-10V(Type:6.5mΩ)
锐有司
恒技
Application科公
市限
Lithiumbatteryprotection丰
圳锐有
Wirelessimpact
深恒技司
Mobilephonefastcharging科公
市丰限
圳锐有
深恒技司
PackageMarkingandOrderingInformation科公
ProductID市Pack丰Marking限Qty(PCS)
圳有
AP100P06P深TO-220-3L锐AP100P06PXXXYYYY1000司
恒技
AP100P06TTO-263-3LAP100P06TXXXYYYY800公
市
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