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AP80H03NF2
30VN+N-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80H03NF2usesadvancedAPM-SGTVtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
公
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
限
orinotherSwitchingapplication.
有
GeneralFeatures技司
V=30VI80A公
DSD科限
丰
RDS(ON)6.0mΩ@VGS=10V(Type:4.8mΩ)
锐有
Ciss≈1010PF技司
恒公
Application科
市丰限
圳
深Buck锐有司
Boost恒技公
市科限
圳丰有
深锐技司
恒科公
市
PackageMarkingandOrderingInformation丰限
ProductID圳Pack锐Marking有Qty(PCS)
AP80H03NF2深PDFN5*6-8LAP80H03NF2XXXYYYY5000司
恒技公
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C市科限
SymbolParameterMax.Units
圳丰有
VDSSDrain-SourceVoltage锐30V
深
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