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AP60N03NF
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP60N03NFusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
司
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
公
orinotherSwitchingapplication.
限
GeneralFeatures有司
技
V=30VI=60A
DSD科公
RDS(ON)8.5mΩ@VGS=10V(Type:6.0mΩ)限
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Application技司
恒科公
BLDC
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深Mobilephonefastcharging技司
恒科公
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PackageMarkingandOrderingInformation科公
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深锐有
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C恒技公
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