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AP60N02D
20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP60N02Dusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
公
限
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
有
orinotherSwitchingapplication.司
GeneralFeatures技公
科限
丰
V=20VI=60A
DSD有
锐技司
RDS(ON)5.5mΩ@VGS=4.5V(Type:4.1mΩ)
恒科公
市
Application丰限
圳锐有
深Batteryprotection恒技司
Loadswitch市科公
圳丰限
Uninterruptiblepowersupply锐有
深恒技司
市科公
PackageMarkingandOrderingInformation丰限
ProductID圳PackMarkingQty(PCS)
深锐有司
技
AP60N02DTO-252-3L恒AP60N02DXXXYYYY2500公
市科
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)丰限
圳
SymbolParameterMax.Units
深锐有
VDSSDrain-SourceVoltage恒20技V
VGSSGate-SourceVol
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