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AP60N02BD
20VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP60N02BDusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas2.5V.This
公
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deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
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GeneralFeatures
科限
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VDS=20VID60A有
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RDS(ON)6.5mΩ@VGS=4.5V(
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PackageMarkingandOrderingInformation丰限
ProductID圳PackMarkingQty(PCS)
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AP60N02BDTO-252-3L恒AP60N02BDXXXYYYY2500公
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AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)丰限
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