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AP85N08BPIT
80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP85N08BP/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas10V.
司
ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection
公
限
orinotherSwitchingapplication.
有
GeneralFeatures技司
V80VI85A
DSD科公
丰限
RDS(ON)8.5mΩVGS10V(Type:6.5mΩ)
锐有司
Application技
恒科公
市
Batteryprotection丰限
圳锐有
深Loadswitch恒技司
Uninterruptiblepowersupply科公
市丰限
圳锐有
深恒技司
公
PackageMarkingandOrderingInformation科
市
ProductID圳Pack丰Marking限Qty(PCS)
AP85N有
08BP深TO-220-3L锐AP85N08BPXXXYYYY1000司
技
AP85N08BTTO-263-3L恒AP85N08BTXXXYYYY800公
市科
AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisenoted)
C丰限
ParameterValueUnit
Symbol圳锐有
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