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AP80N10PIT
100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP80N10P/TusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
司
operationwithgatevoltagesaslowas10V.This
公
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
限
orinotherSwitchingapplication.
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SymbolParameter
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