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本申请涉及一种电子设备金属外壳的制备工艺及其加工设备,所述制备工艺包括:将熔融金属液在高压高速下浇铸入外壳模具的压室内铸型,并在高压下结晶凝固成型得到电子设备的金属外壳铸件;将金属外壳铸件放入真空腔室,采用PVD镀膜方式在金属外壳铸件的外表面镀上纯金属膜;从真空腔室中取出已镀膜的金属外壳铸件,对金属外壳铸件上的纯金属膜进行阳极氧化形成金属氧化膜层;该技术方案,利用压铸替代高成本的CNC技术,通过PVD镀膜代替污染严重的电镀技术,遮盖了压铸过程的偏析问题,通过阳极氧化形成耐磨和高质量的氧化膜层,在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN115896731A
(43)申请公布日2023.04.04
(21)申请号202211557368.9(51)Int.Cl.
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