青铜剑技术基于二代ASIC芯片即插即用的驱动器6CP0215T12-A11.doc

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青铜剑技术基于二代ASIC芯片即插即用的驱动器6CP0215T12-A11

近年来,全球汽车市场正在经历一场深刻的技术变革,电动汽车产业正朝着“智能化、集成化、轻量化”的方向发展。而续航里程和充电时间仍然是制约电动汽车发展的重要因素,碳化硅器件将成为加速电动汽车发展的重要助力。

针对碳化硅MOSFET的市场需求,青铜剑技术基于自主研发的第二代ASIC芯片组开发了一款即插即用的驱动器6CP0215T12-A11。

6CP0215T12-A11是专门针对1200V及以下电压等级HPD封装碳化硅MOSFET模块设计的六通道、紧凑型驱动器,可直接焊接在模块上,即插即用无需转接处理。

应用领域

新能源汽车主驱控制器

产品特点

功率器件最高电压1200V

六通道碳化硅MOSFET驱动器

单通道驱动功率2W,峰值电流±25A

适配HPD封装1200V碳化硅MOSFET模块

绝缘电压高达4000V

集成软关断

集成PWM互锁功能

兼容多种输入电平

集成隔离DC/DC电源

集成原边/副边电源欠压保护

集成有源钳位

集成VDS短路保护

集成温度检测

集成母线电压检测功能

原理框图

关键参数

供电电源

15V

门极电压(开通/关断)

+18V,-2V

单通道功率

2W

峰值电流

±25A

最大频率

100kHz

工作温度

-40℃~125℃

绝缘耐压

4000Vac

芯片自适应软关断功能

软关断功能可有效抑制模块发生短路时关断产生的尖峰电压。6CP0215T12-A11驱动器内部门极闭环控制,软关断波形智能调节,当进入退饱和保护时,门极会按照设定下降曲线进行2us时长的软关断。

高压短路波形

双脉冲测试数据

驱动器6CP0215T12-A11匹配碳化硅模块BMS600R12HWC4测试数据。

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