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如何计算IGBT的损耗?
现今随着高端测试仪器和仿真软件的普及,大部分的损耗计算都可以使用工具自动完成,节省了不少精力,不得不说这对工程师来说是一种解放,但是这些工具就像黑盒子,好学的小伙伴总想知道工作机理。其实基础都是大家学过的基本高等数学知识。今天作者就帮大家打开这个黑盒子,详细介绍一下IGBT损耗计算方法同时一起复习一下高等数学知识。
我们先来看一个IGBT的完整工作波形:
IGBT的损耗可以分为开关损耗和导通损耗,其中开关损耗又分为开通和关断两部分,下面我分别来看一下各部分的计算推导过程。
开关损耗-开通部分
我们先来看一下理想的IGBT开通波形:
我们需要先分别写出电流和电压的线性方程,先看电流线性方程:分别找到电流开关波形中的两个坐标(0,0)和(Δt_on,Ic),那么电流线性方程:
电压线性方程,同样找到电压波形中的两个坐标(0,Vce),(Δt-on,0),那么电压线性方程:
根据损耗计算的定义:
这样开关损耗中的开通部分计算公式我们就推导完成了,那是不是我们有了计算公式就可以直接用了呢?我们先来看看实际的开通波形:
上图是实测的IGBT开通波形,蓝色是Vce波形,红色是Ic波形。可以看到Ic在整个上升过程中还是比较线性的,但是Vce在跌落的时候斜率分成了几段,这个时候我们推导的理想开关波形的损耗似乎就没什么用了,那怎么办呢?
其实虽然我们之前的推导结果不能直接用,但是推导过程我们还是可以借鉴的,我们可以把整个波形根据Vce的斜率分成几个部分来近似计算,如下图所示,对应时间分别是Δt1,Δt2,Δt3。
我们先来计算Δt1部分的损耗:
如上图,我们先找到电压和电流波形与Δt1时间标注线的四个交点,标注为:
A(0,Vce1),B(Δt1,Vce2),C(0,0),D(Δt1,Ic1).
Δt1内的Vce表达式:
Δt1内的Ic表达式:
Δt1内的损耗表达式及推导:
从波形中可以读出:
Vce1=260V,Vce2=220V,Ic1=20.3A,Δt1=70ns,带入上面公式可以得到:
我们用同样的方法计算Δt2部分:
同样先找到电压和电流波形与Δt2时间标注线的四个交点:
E(0,Vce2),F(Δt2,Vce3),G(0,Ic1),H(Δt2,Ic2).
Δt2内的Vce表达式:
Δt2内的Ic表达式:
Δt2内的损耗表达式及推导:
左右滑动可查看公式
从波形中可以读出:
Vce3=50V,Vce2=220V,
Ic1=20.3A,Ic2=29.3AΔt2=40ns,带入上面公式可以得到
最后是Δt3部分:
四个交点:
I(0,Vce3),J(Δt3,Vce3),K(0,Ic2),L(Δt3,Ic3).
Δt3内的Vce我们取近似常数:
Δt3内的Ic表达式:
Δt3内的损耗表达式及推导:
从示波器中可以读出:Vce3=40V,Ic2=29.3A,Ic3=19AΔt3=30ns,带入上面公式可以得到
这样把三部分算好加起来就是开通的总损耗:
导通部分损耗计算
IGBT导通状态下处于饱和状态,我们只需要对导通状态下的饱和电压Vce和电流Ic乘积积分就可以:
但是导通状态下的Vce实际是和Ic关联的,Vce会随着Ic的变化而变化,我们直接拿下面的实际测试波形来举例分析:
从波形上看,Ic在IGBT导通状态下是线性上升的,对应的Vce应该也是线性增加的,但是因为实际测试中Vce有高压状态的原因,我们会选择高压差分探头测试。当IGBT导通时Vce只有1-2V,这时差分探头对低压部分的测试精度就成了问题,那么我们怎么近似的计算这部分导通损耗呢?
我们可以参考规格书中的Vce曲线:
实际测试波形电流在20A左右,所以我们把20A左右的曲线单独放大取出来:
Vce表达式:
然后我们来看电流部分,首先我们在波形上取A,B两点,导通时间Δt,如下:
两个点坐标:A(0,Ic1),B(Δt,Ic2):
Δt内的Ic表达式:
Δt内的导通损耗表达式及推导:
左右滑动可查看公式
从波形中可以读出:Ic1=9.5A,Ic2=14A,Δt=14us,带入上面公式可以得到
注:关于Vce-Ic曲线,规格书中通常会提供常温(25度)和高温(150度或者175度)两种,为了贴近实际工作状态,建议选择高温曲线。
开关损耗-关断部分
先看理想的IGBT关断波形:
电流线性方程,分别找到电流开关波形中的两个坐标(0,Ic)和(Δt_off,0),那么电流线性方程:
电压线性方程,同样找到电压波形中的两个坐标(0,0),(Δt_off,Vce),那么电压线性方程:
根据损耗计算的定义:
实际的关断波形:
基于上面实际关断波形的损耗计算,想给大家留个作业,计算方
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